BSZ0901NS N沟道功率 MOSFET封装QFP240蓝信伟业
蓝信商城- 超低导通电阻:rds=2.0mω/2.6mω
- 阈值电压:vgs(th)=1.0~2.2v
- 功耗:pd=50w(tc=25℃)
- 温度范围:tj=-55℃~150℃
- 栅源电压:vgs=±20v(最大)
- 逻辑电平驱动:vgs=4.5v可完全导通/适配低压控制 ic
- 极低栅极电荷:qg=41nc/20nc/高频损耗小
- 栅极电荷:qg=41nc/20nc
- 导通电阻:rds=2.0mω/2.6mω
- 高可靠性:100%雪崩测试/卓越热阻抗/rohs/无卤素合规
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详细参数 - 超低导通电阻rds=2.0mω/2.6mω
- 阈值电压vgs(th)=1.0~2.2v
- 功耗pd=50w(tc=25℃)
- 温度范围tj=-55℃~150℃
- 栅源电压vgs=±20v(最大)
- 逻辑电平驱动vgs=4.5v可完全导通/适配低压控制 ic
- 极低栅极电荷qg=41nc/20nc/高频损耗小
- 栅极电荷qg=41nc/20nc
- 导通电阻rds=2.0mω/2.6mω
- 高可靠性100%雪崩测试/卓越热阻抗/rohs/无卤素合规
- descriptionbsz0901ns
- 移动电话13502856648