3DD5032P TO-3P(H)IS
华微电子- 封装材料信息:有卤无卤
- bvceo:600v
- hfe:10~30
- 分类:双极型晶体管/bjt
- 编号:3dd5032p-ga-d
- ic:8a
- pc:50w
- bvcbo:1500v
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详细参数 - 封装材料信息有卤无卤
- bvceo600v
- hfe10~30
- 分类双极型晶体管/bjt
- 编号3dd5032p-ga-d
- ic8a
- pc50w
- bvcbo1500v