Hi, 欢迎访问门门
登录 | 注册
IOS
Android
收藏
超平热氧化SiO2基底
爱实验商城价格：1749.00元
商品属性：
- bow：≤20μm
- 规格：200nm热氧化层/5x5mm/25片/盒|200nm热氧化层/10x10mm/6片/盒|200nm热氧化层/5x7mm/18片/盒|200nm热氧化层/?6”/1片
- dopant：p|boron
- frontsurface：polished
- thickness：675+|- 25μm
- 材质：cz virgin silicon wafer
- siteflatness：≤1μm
- 商品库存：1000
- 内部：1749
- flat：1 per semi standard
价格趋势
该商城历史价格
当前商城现价1749.00元
历史最低价1749.00元（2025-02-17）
历史最高价1749.00元（2025-02-17）
详细参数
- bow≤20μm
- 规格200nm热氧化层/5x5mm/25片/盒|200nm热氧化层/10x10mm/6片/盒|200nm热氧化层/5x7mm/18片/盒|200nm热氧化层/?6”/1片
- dopantp|boron
- frontsurfacepolished
- thickness675+|- 25μm
- 材质cz virgin silicon wafer
- siteflatness≤1μm
- 商品库存1000
- 内部1749
- flat1 per semi standard
- 办事处1749
- 签约会员1749
- warp≤30μm
- particles≤20@≥0.2μm
- diameter150mm
- backsurfaceetched
- resistivity10-20 ohm-cm
- orientation100
- gradeprime
- ttv≤2μm