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FDA59N30高压功率 MOSFET封装TO-3P-3L蓝信伟业
蓝信商城价格：10.00元
商品属性：
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- 低反向传输电容：典型值 80pf/抗干扰能力强
- 输入电容：4670pf@vds=25v
- 类型：n沟道增强型 mosfet
- 脉冲漏极电流：236a
- 上升时间：575ns
- 低栅极电荷：典型值 77nc/开关速度快/驱动损耗小
- 反向传输电容：典型值 80pf
- 最大耗散功率：500w@tc=25℃pd
- 栅漏电荷：40nc
- 宽温工作：-55℃至+ 150℃/适配严苛工业环境
价格趋势
该商城历史价格
当前商城现价10.00元
历史最低价10.00元（2024-07-06）
历史最高价10.00元（2024-07-06）
详细参数
- 低反向传输电容典型值 80pf/抗干扰能力强
- 输入电容4670pf@vds=25v
- 类型n沟道增强型 mosfet
- 脉冲漏极电流236a
- 上升时间575ns
- 低栅极电荷典型值 77nc/开关速度快/驱动损耗小
- 反向传输电容典型值 80pf
- 最大耗散功率500w@tc=25℃pd
- 栅漏电荷40nc
- 宽温工作-55℃至+ 150℃/适配严苛工业环境
- 栅源电荷22nc
- 内置体二极管集成续流二极管/简化电路设计
- 栅源电压±30v
- 漏源击穿电压300v
- 低导通损耗最大导通电阻 56mω@10v/降低发热/提升效率
- 关断延迟时间120ns
- 高雪崩耐量100%雪崩测试/可靠性高/抗浪涌能力强
- 高压大电流300v漏源耐压/59a连续漏极电流/满足大功率需求
- 工作结温-55℃至+ 150℃
- 开启延迟时间140ns
- 高功率密度to-3p封装/散热性能优异/最大耗散功率 500w
- 反向恢复时间246ns
- 输出电容920pf
- 下降时间200nstf
- descriptionfda59n30
- 移动电话13424188068