BF1212R MOSFET封装SOT143R蓝信伟业
蓝信商城- 类型:n沟道双栅增强型射频 mosfet
- 漏极电流:30ma
- 自偏置设计:内置自偏置电路/简化 agc电路设计/提升互调抑制能力/减少外围元件
- 低噪声性能:典型噪声系数 0.9db(vhf/uhf频段)/适配对噪声敏感的射频接收前端
- 工作频率:最高 400mhz/适配 vhf/uhf频段
- 封装形式:sot143r
- 总功耗:180mw
- 漏源电压:6v
- 高增益特性:正向传输导纳典型值 30ms/400mhz频段增益可达 30db/信号放大能力强
- 高频率适配:适配 vhf与 uhf频段/最高工作频率可达 400mhz
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详细参数 - 类型n沟道双栅增强型射频 mosfet
- 漏极电流30ma
- 自偏置设计内置自偏置电路/简化 agc电路设计/提升互调抑制能力/减少外围元件
- 低噪声性能典型噪声系数 0.9db(vhf/uhf频段)/适配对噪声敏感的射频接收前端
- 工作频率最高 400mhz/适配 vhf/uhf频段
- 封装形式sot143r
- 总功耗180mw
- 漏源电压6v
- 高增益特性正向传输导纳典型值 30ms/400mhz频段增益可达 30db/信号放大能力强
- 高频率适配适配 vhf与 uhf频段/最高工作频率可达 400mhz
- 噪声系数典型值 0.9db(vhf|uhf频段)
- 静电防护栅 -源集成保护二极管/降低静电击穿风险/增强器件抗干扰能力
- 引脚数量4引脚
- descriptionbf1212r mosfet封装sot143r蓝信伟业
- 移动电话13424188068